技術(shù)特點(diǎn)

局部放電的定義及產(chǎn)生原因在電場(chǎng)作用下，絕緣系統(tǒng)中只有部分區(qū)域發(fā)生放電，但尚未擊穿，（即在施加電壓的導(dǎo)體之間沒有擊穿）。這種現(xiàn)象稱之為局部放電。局部放電可能發(fā)生在導(dǎo)體邊上，也可能發(fā)生在絕緣體的表面上和內(nèi)部，發(fā)生在表面的稱為表面局部放電。發(fā)生在內(nèi)部的稱為內(nèi)部局部放電。而對(duì)于被氣體包圍的導(dǎo)體附近發(fā)生的局部放電，稱之為電暈。由此 總結(jié)一下局部放電的定義，指部分的橋接導(dǎo)體間絕緣的一種電氣放電，局部放電產(chǎn)生原因主要有以下幾種：

• 電場(chǎng)不均勻。
• 電介質(zhì)不均勻。
• 制造過程的氣泡或雜質(zhì)。最經(jīng)常發(fā)生放電的原因是絕緣體內(nèi)部或表面存在氣泡；其次是有些設(shè)備的運(yùn)行過程中會(huì)發(fā)生熱脹冷縮,不同材料特別是導(dǎo)體與介質(zhì)的膨脹系數(shù)不同，也會(huì)逐漸出現(xiàn)裂縫；再有一些是在運(yùn)行過程中有機(jī)高分子的老化，分解出各種揮發(fā)物，在高場(chǎng)強(qiáng)的作用下，電荷不斷地由導(dǎo)體進(jìn)入介質(zhì)中， 在注入點(diǎn)上就會(huì)使介質(zhì)氣化。

產(chǎn)品用途
GDJF2006 局部放電檢測(cè)分析系統(tǒng)（局放儀）由三大模塊構(gòu)成：信號(hào)處理模塊，隔離模塊，采集處理模塊。根據(jù)系統(tǒng)連接圖，檢測(cè)阻抗將局部放電信號(hào)檢出并送到信號(hào)處理模塊，信號(hào)處理模塊完成將局部放電信號(hào)整理、放大、整形等功能后將局部放電信號(hào)送往隔離模塊，隔離模塊將計(jì)算機(jī)采集處理模塊和信號(hào)處理模塊隔開，防止它們之間互相干擾，最后由采集處理模塊完成對(duì)局部放電信號(hào)的采集.處理.分析和顯示

原理圖

• 采用高速.大容量數(shù)據(jù)采集卡，能進(jìn)行連續(xù)采集局放數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)復(fù)現(xiàn)性好,準(zhǔn)確度高。
• 具有測(cè)試.分析(多參數(shù)分析.二維圖譜分析.三維圖譜分析).數(shù)據(jù)保存。報(bào)告生成及打印等功能
• 能同時(shí)顯示局部放電波形（橢圓。正鉉波。直線三種方式）。局放量和測(cè)試電壓。
• 在校正和測(cè)試過程中自動(dòng)調(diào)節(jié)增益而不需要人為干預(yù)，操做簡便.
• 可適應(yīng)工頻（50Hz）三倍頻（150Hz）最高至400Hz的電源。
• 可實(shí)現(xiàn)對(duì)外加電源頻率的自動(dòng)跟蹤.
• 開門開窗可任意設(shè)置最小可至1度。
• 可單通道也可六個(gè)通道進(jìn)行測(cè)量.
• 體積小，重量輕。既適合于電力部門和制造廠車間等現(xiàn)場(chǎng)使用，也適合于科學(xué)研究試驗(yàn)。
• 靈敏度高，適用的試品范圍廣等優(yōu)點(diǎn)。

產(chǎn)品參數(shù)

 

可測(cè)試品的電容量范圍	6pf～250μf
檢測(cè)靈敏度	<0.02pc（電容50pf時(shí)）
放大器	3db低端頻率f1 10、20、30。50。80kHz任選，3db高端頻率fh 100 、200、300、400、500kHz任選
	增益調(diào)節(jié)范圍>120db,檔間增益差20±1db。正、負(fù)脈沖響應(yīng)不對(duì)稱性<1db
時(shí)間窗	窗寬1 о ～360 о ,窗位置可任意旋轉(zhuǎn)
試驗(yàn)電壓表	0～200kV,數(shù)字表顯示時(shí)誤差＜3%F.S
采集通道	4通道/卡
輸入阻抗	1MΩ
采集卡最高采樣率	20MHz
AD分辨率12BIT。直流精確0.2%
每通道采樣長度	8M
觸發(fā)方式	手動(dòng)、外觸發(fā)、內(nèi)觸發(fā)
采集卡帶寬	3MHz（-3DB）
重量	約15kg